據(jù)央視報(bào)道，我國(guó)中科院院士王陽(yáng)元曾和同事鉆研 8 年從此換來(lái)中國(guó)集成電路的突破，后又帶領(lǐng)上百名專家一舉打破西方封鎖(1975 年中國(guó)成為繼美日之后的第三個(gè)擁有 1024bit MOS 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的國(guó)家)。
沒(méi)有設(shè)備和技術(shù)，就靠實(shí)踐學(xué)習(xí)，每個(gè)人都為這個(gè)奉獻(xiàn)力量;人等片子，芯片到人到，不管幾點(diǎn)，立刻開(kāi)工沒(méi)有任何怨言。
正如 86 歲的他用一生踐行在入黨申請(qǐng)書(shū)寫下的初心：“人活著，應(yīng)當(dāng)使人民感到有益!”。談及此事，他還喊出了“生逢盛世，肩負(fù)重任，我沒(méi)有虛度年華”“科學(xué)無(wú)國(guó)界，但科學(xué)家有祖國(guó)”的偉大口號(hào)。
IT之家了解到，王陽(yáng)元生于 1935 年 1 月 1 日的浙江寧波，是我國(guó)微納電子科學(xué)家、教育家，中國(guó)科學(xué)院院士，北京大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，北京大學(xué)微電子學(xué)研究院院長(zhǎng)，北京大學(xué)微電子學(xué)系主任。
他于 1958 年從北京大學(xué)物理系畢業(yè)，1986 年擔(dān)任北京大學(xué)微電子學(xué)研究所所長(zhǎng)，1995 年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士，成功主持并參與研究了硅柵 N 溝道技術(shù)和中國(guó)第一塊 1024 位 MOS DRAM(MOS：金屬氧化物半導(dǎo)體)的研發(fā)，推動(dòng) MOS 集成電路技術(shù)的發(fā)展。
此外，他還在國(guó)際上提出了多晶硅薄膜氧化動(dòng)力學(xué)新模型和應(yīng)用方程以及與同事合作提出了 MOS 絕緣層中可動(dòng)離子和電荷陷阱新的測(cè)量方法，率先開(kāi)發(fā)成功多晶硅發(fā)射極超高速集成電路技術(shù)，推動(dòng)中國(guó)雙極集成電路技術(shù)發(fā)展。
他還創(chuàng)建了 SOI(絕緣襯底上的硅 Silicon-On-Insulator)新器件研究室等機(jī)構(gòu)，主持建設(shè)了中國(guó)第一個(gè)國(guó)家級(jí)微米/納米加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。在 SOI 新器件與電路和 MEMS 系統(tǒng)等領(lǐng)域均有重大建樹(shù)。(作者 問(wèn)舟)
關(guān)鍵詞： 院士 王陽(yáng)元 科學(xué) 國(guó)界 祖國(guó)
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